三菱电机开发出了饱和输出功率高达220W（53.4dBm）的GaN（氮化镓）制HEMT（高电子迁移率晶体管）“MGFS53G27ET1”，将从2016年11月1日开始样品供货。该产品支持的频率范围为2.5GHz～2.7GHz，最大漏极效率高达74%。据称是通过采用GaN材料和优化晶体管结构实现的。主要面向第4代（4G）移动通信系统用宏蜂窝基站。宏蜂窝基站是指，以半径达数km～25km的大通信区域为对象的基站。据该公司介绍，“在面向宏蜂窝基站的产品中，74%的漏极效率为行业顶级水平”。由于漏极效率高，可以在简化通信设备冷却功能的同时，实现基站的小型化和低功耗化。